關鍵技術:
高密度金沙国际会员登录、低弧高(40um)、窄間距(50um)打線,Spacer技術,倒裝芯片技術(突塊高度70um/80um/100um)金沙国际会员登录,芯片堆疊,密間距植球技術(球徑250um金沙国际会员登录,球間距400um)金沙国际会员登录。